充電機設(shè)計上核心器件IGBT模塊與MOSFET模塊比較

充電機設(shè)計上核心器件IGBT模塊與MOSFET模塊比較

IGBT模塊比MOSFET模塊：轉(zhuǎn)換效率高3-4%、壽命長2-3倍、可靠性、環(huán)境適應(yīng)性更好。
充電機設(shè)計上核心器件IGBT模塊與MOSFET模塊比較
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