RCD 的計算結(jié)果為何與實驗參數(shù)出入很大

不時有網(wǎng)友提到 RCD 的計算問題。有關 RCD 的計算和實驗的帖子在壇子里也很有人氣。

其中老梁頭的關于反激RCD的實驗中的介紹很詳實，是很有價值的一手實驗數(shù)據(jù)。讀過帖子之后，給人感覺好像自己親手做了個實驗，受益匪淺。然而，帖子中計算的 RCD 數(shù)值和實驗得到的參數(shù)并不一樣（老梁在帖子中的計算過程正確、結(jié)果有誤）。相信很多網(wǎng)友都有這樣的體會 - 就是計算出的電阻 Rsn 比實際實驗得到的數(shù)值要小很多。大家有沒有興趣討論一下 ~

（本圖摘自Fairchild AN-4147）?

下面介紹一下本人在實驗過程中發(fā)現(xiàn)的 3個原因 ~

1. 漏感測量的誤差大 - 由于儀器和測試的問題導致漏感測量的誤差可以很大（尤其是體積小變壓器），通常是測得的漏感偏大。導致計算結(jié)果的不準確（電阻偏小）。

2. RCD計算公式中忽略了二極管Dsn的正向?qū)ㄑ舆t時間和開關損耗，假設所有漏感引起的功耗都消耗在了電阻 Rsn 上，使得計算出的電阻數(shù)值偏小。

3. 計算公式忽略了漏感對?MOS管輸出電容 Coss 的充電，而這一部分的能量是不能忽略不計的。

看到有網(wǎng)友不太清楚 Rsn 計算公式的推導，順便在這兒推導一下 ~

1. 當MOS管關斷時，初級電流達到了最大值 Ipeak。電壓Vds 迅速上升至A點，漏感 L_lk上的能量開始對Csn沖電。
2. Csn上的電壓在整個過程中幾乎不變，其大小是Vsn。
3. 由于此時次級的整流管已經(jīng)導通，次級圈上的電壓被鉗制到輸出電壓 Vo。反射電壓 Vor (或者寫成 nVo) 在初級建立。
4. 漏感對 Csn 放電時，漏感上的電壓被鉗制到 Vsn - Vor。
5. 漏感上的電流變化為